| GD80+P 全自动高速固晶机 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥36ms UPHmax: 90K/h （现实产能取决于晶片与支架尺寸及造程工艺要求） | ||||||||
| 固晶地位精度 | ±25.4um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±3° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 3*3-60*60mil | ||||||||
| 合用支架尺寸 | L：100-170mm W：30-75mm | ||||||||
| 设备表型尺寸（L*W*H） | 1550（正面长）*946(侧面纵深)*2005(高度)mm | ||||||||
| GD80+P 全自动高速固晶机 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥36ms UPHmax: 90K/h （现实产能取决于晶片与支架尺寸及造程工艺要求） | ||||||||
| 固晶地位精度 | ±25.4um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±3° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 3*3-60*60mil | ||||||||
| 合用支架尺寸 | L：100-170mm W：30-75mm | ||||||||
| 设备表型尺寸（L*W*H） | 1550（正面长）*946(侧面纵深)*2005(高度)mm | ||||||||